N-Kanal-Transistor NDS355AN, SOT-23, 30 v. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 5nC. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 195pF. Drain-Source-Spannung: 30V. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 1.7A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Eigenschaften des Halbleiters: Logikebene. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Gate-Source-Spannung: ±20V. Herstellerkennzeichnung: NDS355AN_NL. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 0.5W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 1.7A. Transistortyp: N-MOSFET, logic level. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi (fairchild). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:27