N-Kanal-Transistor NP82N055PUG, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V. ID (T=25°C): 82A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4.1m Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): MP-25ZP. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 2. C(in): 6400pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 328A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 82N055. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 900. Kosten): 465pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 142W. RoHS: ja. Spec info: MOSFET-Transistor. Td(off): 72 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Temperatur: +175°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Renesas Technology. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 22:29