N-Kanal-Transistor P50N03A-SMD, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK). ID (T=25°C): 50A. IDSS: 50uA. IDSS (max): 50A. Einschaltwiderstand Rds On: 5.1M Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263 (D2PAK). Anzahl der Terminals: 3. C(in): 2780pF. Drain-Source-Schutz: Diode. G-S-Schutz: nein. Id(imp): 100A. Kanaltyp: N. Kosten): 641pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 59.5W. RoHS: ja. Td(off): 35 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 34 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Niko-semi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30