N-Kanal-Transistor PSMN035-150P, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 30 milliOhms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). Spannung Vds(max): 150V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 4720pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.05uA. Id(imp): 200A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 456pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: IDM 200A (Tmb 25°C; pulsed). Td(off): 79 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Verstärkungsmodus-Feldeffekttransistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 118 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30