N-Kanal-Transistor RFD3055LESM, 12A, 1uA, 12A, 0.15 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 12A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 12A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 850pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Logikpegelsteuerung, ESD-Schutz. G-S-Schutz: Diode. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F3055L. Kosten): 170pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 48W. RoHS: ja. Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Harris. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30