N-Kanal-Transistor RFP70N06, TO-220, 60V, 52A, 70A, 25uA, 0.014 Ohms, TO-220, 60V. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. ID (T=100°C): 52A. ID (T=25°C): 70A. IDSS (max): 25uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 32 ns. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 2250pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2250pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 70A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Herstellerkennzeichnung: RFP70N06. IDss (min): 1uA. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 792pF. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: Temperaturkompensiertes PSPICE®-Modell. Td(off): 32 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 52 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30