N-Kanal-Transistor RJH3077DPK, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V
Menge
Stückpreis
1-4
12.88fr
5-9
12.15fr
10-24
10.58fr
25+
9.74fr
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N-Kanal-Transistor RJH3077DPK, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PSG. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 330V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: ja. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Germaniumdiode: -. Ic(Impuls): 250A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 35A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: trr 0.06us. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Trr-Diode (Min.): 23 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Renesas Technology. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35
RJH3077DPK
21 Parameter
Gehäuse
TO-3PN ( 2-16C1B )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3PSG
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
330V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
ja
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
2.5V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
5V
Gate/Emitter-Spannung VGE
30 v
Ic(Impuls)
250A
Kanaltyp
N
Kollektorstrom
35A
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
60W
RoHS
ja
Spec info
trr 0.06us
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.5V
Td(off)
60 ns
Td(on)
20 ns
Trr-Diode (Min.)
23 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Renesas Technology