N-Kanal-Transistor RJP30E4, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 360V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 85pF. CE-Diode: nein. Funktion: IGBT. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 250A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 30A. Kosten): 40pF. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Td(off): 90 ns. Td(on): 40 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Renesas Technology. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 10:40