N-Kanal-Transistor SI2308BDS-T1-GE3, SOT-23, MS-012, 60V
Menge
Stückpreis
1+
1.47fr
| +15 weitere Stück ab Lager lieferbar (Lieferung innerhalb von 4 Stunden). Kontaktieren Sie uns für Preise und Verfügbarkeit! | |
| Menge auf Lager: 7632 |
N-Kanal-Transistor SI2308BDS-T1-GE3, SOT-23, MS-012, 60V. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 190pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 2.3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Herstellerkennzeichnung: L8. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.66W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (siliconix). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:45
SI2308BDS-T1-GE3
17 Parameter
Gehäuse
SOT-23
Gehäuse (JEDEC-Standard)
MS-012
Drain-Source-Spannung Uds [V]
60V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
15 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
190pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
2.3A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.192 Ohms @ 1.7A
Einschaltzeit ton [nsec.]
6 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
3V
Herstellerkennzeichnung
L8
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
1.66W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay (siliconix)