N-Kanal-Transistor SI4448DY-T1-E3, 26A, 32A, 10uA, 17m Ohms, SO, SO-8, 12V. ID (T=100°C): 26A. ID (T=25°C): 32A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 17m Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 12V. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 12350pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Power MOSFET. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 70A. Kanaltyp: N. Kosten): 2775pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 7.8W. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. Td(off): 240 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 84 ns. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30