N-Kanal-Transistor SI4480EY, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.2A. IDSS (max): 20uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.026 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 80V. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Power MOSFET. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 40Ap. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 3W. Td(off): 52 ns. Td(on): 12.5 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: -. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30