N-Kanal-Transistor SKM400GB126D, 330A, andere, andere, 1200V. Ic(T=100°C): 330A. Gehäuse: andere. Gehäuse (laut Datenblatt): andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Abmessungen: 106.4x61.4x30.5mm. Anzahl der Terminals: 7. Betriebstemperatur: -40...+125°C. C(in): 23.1pF. CE-Diode: ja. Funktion: Hochleistungs-IGBT. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 600A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 470A. Kosten): 1.9pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.15V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Td(off): 650 ns. Td(on): 330 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Semikron. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:42