N-Kanal-Transistor SKW20N60, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

N-Kanal-Transistor SKW20N60, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

Menge
Stückpreis
1-4
5.73fr
5-9
5.21fr
10-24
4.59fr
25+
4.34fr
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N-Kanal-Transistor SKW20N60, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1100pF. CE-Diode: ja. Funktion: Schneller S-IGBT in NPT-Technologie. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: -. Ic(Impuls): 80A. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 40A. Kosten): 107pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 179W. RoHS: ja. Spec info: K20N60. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Td(off): 445 ns. Td(on): 36ns. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 10:40

Technische Dokumentation (PDF)
SKW20N60
25 Parameter
Ic(T=100°C)
20A
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247 ( AC )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1100pF
CE-Diode
ja
Funktion
Schneller S-IGBT in NPT-Technologie
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
3V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.
5V
Gate/Emitter-Spannung VGE
20V
Ic(Impuls)
80A
Kanaltyp
N
Kollektorstrom
40A
Kosten)
107pF
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
179W
RoHS
ja
Spec info
K20N60
Sättigungsspannung VCE(sat)
2.4V
Td(off)
445 ns
Td(on)
36ns
Trr-Diode (Min.)
300 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies