N-Kanal-Transistor SPA07N60C3, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V

N-Kanal-Transistor SPA07N60C3, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V

Menge
Stückpreis
1-4
2.20fr
5-24
2.00fr
25-49
1.85fr
50-99
1.71fr
100+
1.46fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 153

N-Kanal-Transistor SPA07N60C3, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 650V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 790pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, hohe Spitzenstrombelastbarkeit“. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Hinweis: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). IDss (min): 0.5uA. Id(imp): 21.9A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 07N60C3. Kosten): 260pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 32W. RoHS: ja. Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30

Technische Dokumentation (PDF)
SPA07N60C3
32 Parameter
ID (T=100°C)
4.6A
ID (T=25°C)
7.3A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.54 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FP
Spannung Vds(max)
650V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
790pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
„Extreme dv/dt-Bewertung, hohe Spitzenstrombelastbarkeit“
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Hinweis
Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute)
IDss (min)
0.5uA
Id(imp)
21.9A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
07N60C3
Kosten)
260pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
32W
RoHS
ja
Td(off)
60 ns
Td(on)
6 ns
Technologie
Cool MOS™ Power Transistor
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
400 ns
Vgs(th) max.
3.9V
Vgs(th) min.
2.1V
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies

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