N-Kanal-Transistor SPA11N65C3, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 650V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1200pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Isoliertes Gehäuse (2500 VAC, 1 Minute). G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 33A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11N65C3. Kosten): 390pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 33W. RoHS: ja. Td(off): 44 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30