N-Kanal-Transistor SPA16N50C3, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V

N-Kanal-Transistor SPA16N50C3, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V

Menge
Stückpreis
1-4
4.19fr
5-24
3.78fr
25-49
3.45fr
50-99
3.17fr
100+
2.79fr
Menge auf Lager: 50

N-Kanal-Transistor SPA16N50C3, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 560V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1600pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Hinweis: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 48A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 16N50C3. Kosten): 800pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 34W. RoHS: ja. Spec info: capacités effectives ultra faibles. Td(off): 50 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 420 ns. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30

SPA16N50C3
33 Parameter
ID (T=100°C)
10A
ID (T=25°C)
16A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.25 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FP
Spannung Vds(max)
560V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1600pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Hinweis
Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute)
IDss (min)
0.1uA
Id(imp)
48A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
16N50C3
Kosten)
800pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
34W
RoHS
ja
Spec info
capacités effectives ultra faibles
Td(off)
50 ns
Td(on)
10 ns
Technologie
Cool MOS™ Power Transistor
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
420 ns
Vgs(th) max.
3.9V
Vgs(th) min.
2.1V
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies