N-Kanal-Transistor SPP06N80C3, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V

N-Kanal-Transistor SPP06N80C3, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V

Menge
Stückpreis
1-4
2.58fr
5-24
2.26fr
25-49
2.06fr
50-99
1.93fr
100+
1.72fr
Menge auf Lager: 21

N-Kanal-Transistor SPP06N80C3, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.78 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-3-1. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 785pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 10uA. Id(imp): 18A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 06N80C3. Kosten): 33pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 83W. RoHS: ja. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 520 ns. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54

Technische Dokumentation (PDF)
SPP06N80C3
30 Parameter
ID (T=100°C)
3.8A
ID (T=25°C)
6A
IDSS (max)
50uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.78 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220-3-1
Spannung Vds(max)
800V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
785pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
10uA
Id(imp)
18A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
06N80C3
Kosten)
33pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
83W
RoHS
ja
Td(off)
72 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
Cool MOS™ Power Transistor
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
520 ns
Vgs(th) min.
2.1V
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies