N-Kanal-Transistor SPP17N80C2, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 0.5uA. Id(imp): 51A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SPP17N80C2. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 208W. Technologie: Cool Mos. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54