N-Kanal-Transistor SPP20N60S5, TO-220, 600V, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, 650V. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.16 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 650V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 210 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 3000pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3000pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 20A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 120ns. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5.5V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Herstellerkennzeichnung: 20N60S5. IDss (min): 0.5uA. Id(imp): 40A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 20N60S5. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 1170pF. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 208W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Td(off): 140 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Cool Mos. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 610 ns. Vgs(th) min.: 4.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54