N-Kanal-Transistor STB120N4F6, 80A, 80A, 10uA, 3.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.5m Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 40V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 3850pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Schaltanwendungen, Automotive. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 320A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 120N4F6. Kosten): 650pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET™ VI Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54