N-Kanal-Transistor STD10NF10, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.115 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 470pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: SWITCHING APPLICATION. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 52A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D10NF10. Kosten): 70pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Td(off): 32 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: STRipFET™ II Leistungs-MOSFET mit niedriger Gate-Ladung. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 90 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54