N-Kanal-Transistor STD10NM60N, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.53 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 650V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 540pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 32A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 10NM60N. Kosten): 44pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Td(off): 32 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 315 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54