N-Kanal-Transistor STD4NK60ZT4, 2.5A, 4A, 1uA, 4A, 1.76 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 600V

N-Kanal-Transistor STD4NK60ZT4, 2.5A, 4A, 1uA, 4A, 1.76 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 600V

Menge
Stückpreis
1-4
1.10fr
5-49
0.91fr
50-99
0.77fr
100+
0.70fr
Menge auf Lager: 481

N-Kanal-Transistor STD4NK60ZT4, 2.5A, 4A, 1uA, 4A, 1.76 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 4A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.76 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 600V. C(in): 510pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 16A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D4NK60Z. Kosten): 47pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Td(off): 29 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54

Technische Dokumentation (PDF)
STD4NK60ZT4
26 Parameter
ID (T=100°C)
2.5A
ID (T=25°C)
4A
IDSS
1uA
IDSS (max)
4A
Einschaltwiderstand Rds On
1.76 Ohms
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 )
Spannung Vds(max)
600V
C(in)
510pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
HIGH Current, HIGH Speed Switching
G-S-Schutz
ja
Id(imp)
16A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
D4NK60Z
Kosten)
47pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
70W
RoHS
ja
Td(off)
29 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
400 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics