N-Kanal-Transistor STD5N52U, 2.8A, 4.4A, 500uA, 1.25 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.4A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.25 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252-3. Spannung Vds(max): 525V. Anzahl der Kanäle: 1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 529pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schaltanwendungen, Gate-Ladung minimiert. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30V. IDss (min): 10uA. Id(imp): 17.6A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 5N52U. Kosten): 71pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 70W. Spec info: Enhancement type. Td(off): 23.1 ns. Td(on): 11.4 ns. Technologie: UltraFASTmesh™ Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54