N-Kanal-Transistor STF3NK80Z, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

N-Kanal-Transistor STF3NK80Z, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

Menge
Stückpreis
1-4
1.03fr
5-24
0.87fr
25-49
0.76fr
50-99
0.69fr
100+
0.58fr
Menge auf Lager: 37

N-Kanal-Transistor STF3NK80Z, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.8 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 485pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schaltkreise. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 10A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F3NK80Z. Kosten): 57pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:54

Technische Dokumentation (PDF)
STF3NK80Z
31 Parameter
ID (T=100°C)
1.57A
ID (T=25°C)
2.5A
IDSS (max)
50uA
Einschaltwiderstand Rds On
3.8 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FP
Spannung Vds(max)
800V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
485pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Schaltkreise
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
10A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
F3NK80Z
Kosten)
57pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
25W
RoHS
ja
Td(off)
36ns
Td(on)
17 ns
Technologie
Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
384 ns
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics