N-Kanal-Transistor STGF10NB60SD, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Ic(T=100°C): 7A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 610pF. CE-Diode: ja. Funktion: Lichtdimmer, statisches Relais, Motortreiber. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 100A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GF10NB60SD. Kollektorstrom: 20A. Kosten): 65pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Spec info: Geringer Spannungsabfall (VCE(sat)). Sättigungsspannung VCE(sat): 1.35V. Td(off): 1.2 ns. Td(on): 0.7 ns. Technologie: PowerMESH IGBT. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 10:40