N-Kanal-Transistor STP10NK60ZFP, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

N-Kanal-Transistor STP10NK60ZFP, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
1.65fr
5-24
1.42fr
25-49
1.28fr
50-99
1.18fr
100+
1.04fr
Menge auf Lager: 30

N-Kanal-Transistor STP10NK60ZFP, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.65 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1370pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Zener-Protected. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 36A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P10NK60ZFP. Kosten): 156pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24

Technische Dokumentation (PDF)
STP10NK60ZFP
31 Parameter
ID (T=100°C)
5.7A
ID (T=25°C)
10A
IDSS (max)
50uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.65 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FP
Spannung Vds(max)
600V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1370pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Zener-Protected
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
36A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
P10NK60ZFP
Kosten)
156pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
35W
RoHS
ja
Td(off)
55 ns
Td(on)
20 ns
Technologie
SuperMESH Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
570 ns
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics