N-Kanal-Transistor STP11NB40FP, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V

N-Kanal-Transistor STP11NB40FP, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V

Menge
Stückpreis
1-4
1.52fr
5-24
1.31fr
25-49
1.18fr
50+
1.08fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 1

N-Kanal-Transistor STP11NB40FP, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 400V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 1250pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Hinweis: Viso 2000VDC. IDss (min): 1uA. Id(imp): 42.8A. Kanaltyp: N. Kosten): 210pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Td(off): 10 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24

Technische Dokumentation (PDF)
STP11NB40FP
30 Parameter
ID (T=100°C)
3.8A
ID (T=25°C)
6A
IDSS (max)
50uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.48 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FP
Spannung Vds(max)
400V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
1250pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
Hinweis
Viso 2000VDC
IDss (min)
1uA
Id(imp)
42.8A
Kanaltyp
N
Kosten)
210pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
40W
RoHS
ja
Td(off)
10 ns
Td(on)
17 ns
Technologie
PowerMESH MOSFET
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
400 ns
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics

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