N-Kanal-Transistor STP11NM80, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.35 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -65...+150°C. C(in): 1630pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 44A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P11NM80. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 750pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Td(off): 46 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: MDmesh MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 612 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24