N-Kanal-Transistor STP120NF10, 100V, 0.009 Ohms, TO-220, 77A, 110A, 10uA, TO-220, 100V. Drain-Source-Spannung (Vds): 100V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.009 Ohms. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 77A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 5200pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 440A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P120NF10. Kosten): 785pF. Leistung: 300W. Maximaler Drainstrom: 110A. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 312W. RoHS: ja. Td(off): 132 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 152 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24