N-Kanal-Transistor STP13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.28 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 790pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Niedrige Eingangskapazität und Gate -Ladung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 44A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13NM60N. Kosten): 60pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 44A. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 290 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24