N-Kanal-Transistor STP14NF12, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V

N-Kanal-Transistor STP14NF12, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V

Menge
Stückpreis
1-4
0.95fr
5-24
0.79fr
25-49
0.66fr
50+
0.60fr
Veraltetes Produkt, wird bald aus dem Katalog entfernt
Ausverkauft

N-Kanal-Transistor STP14NF12, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.16 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 120V. C(in): 460pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Niedrige Eingangsaufladung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 56A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P14NF12. Kosten): 70pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Td(off): 32 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24

Technische Dokumentation (PDF)
STP14NF12
27 Parameter
ID (T=100°C)
9A
ID (T=25°C)
14A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.16 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Spannung Vds(max)
120V
C(in)
460pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Niedrige Eingangsaufladung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
56A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
P14NF12
Kosten)
70pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
60W
Td(off)
32 ns
Td(on)
16 ns
Technologie
STripFET II POWER MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics