N-Kanal-Transistor STP200N4F3, 60.4k Ohms, 60.4k Ohms, 100uA, 3m Ohms, TO-220, TO-220, 40V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 40V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 5100pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Schalten, Automobilanwendungen. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 10uA. Id(imp): 480A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 200N4F3. Kosten): 1270pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Td(off): 90 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 67 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24