N-Kanal-Transistor STP20NM50, TO220-3
Menge
Stückpreis
1-4
6.03fr
5-9
4.96fr
10-19
4.77fr
20-49
4.63fr
50+
4.48fr
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N-Kanal-Transistor STP20NM50, TO220-3. Gehäuse: TO220-3. : erweitert. Drain-Source-Spannung: 550V. Gate-Source-Spannung: ±30V. Leistung: 192W. Montage/Installation: THT. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 20A. Technologie: MDmesh™. Transistortyp: N-MOSFET. Verpackung: tubus. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 22:18
STP20NM50
13 Parameter
Gehäuse
TO220-3
erweitert
Drain-Source-Spannung
550V
Gate-Source-Spannung
±30V
Leistung
192W
Montage/Installation
THT
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
20A
Technologie
MDmesh™
Transistortyp
N-MOSFET
Verpackung
tubus
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics