N-Kanal-Transistor STP24NF10, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

N-Kanal-Transistor STP24NF10, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
1.46fr
5-24
1.24fr
25-49
1.09fr
50-99
0.99fr
100+
0.86fr
Menge auf Lager: 90

N-Kanal-Transistor STP24NF10, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 26A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.055 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 870pF. Diodenschwellenspannung: 1.5V. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: SWITCHING APPLICATION. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 104A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P24NF10. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 125pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 85W. RoHS: ja. Spec info: Niedrige Eingangsaufladung. Td(off): 50 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 100us. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24

Technische Dokumentation (PDF)
STP24NF10
35 Parameter
ID (T=100°C)
18A
ID (T=25°C)
26A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.055 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Spannung Vds(max)
100V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
870pF
Diodenschwellenspannung
1.5V
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
SWITCHING APPLICATION
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
104A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
P24NF10
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
125pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
85W
RoHS
ja
Spec info
Niedrige Eingangsaufladung
Td(off)
50 ns
Td(on)
60 ns
Technologie
STripFET II POWER MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
100us
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics