N-Kanal-Transistor STP26NM60N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.135 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1800pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Schaltkreise. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 80A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 26NM60N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 115pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Spec info: Niedrige Eingangskapazität und Gate -Ladung. Td(off): 13 ns. Td(on): 85 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 450 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24