N-Kanal-Transistor STP36NF06, 21A, 30A, 10uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

N-Kanal-Transistor STP36NF06, 21A, 30A, 10uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

Menge
Stückpreis
1-4
1.04fr
5-49
0.86fr
50-99
0.73fr
100+
0.65fr
Menge auf Lager: 47

N-Kanal-Transistor STP36NF06, 21A, 30A, 10uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.032 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 690pF. Funktion: trr 65ns, effizientes DV/DT. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 60.4k Ohms. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P36NF06. Kosten): 170pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Td(off): 27 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24

Technische Dokumentation (PDF)
STP36NF06
27 Parameter
ID (T=100°C)
21A
ID (T=25°C)
30A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.032 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Spannung Vds(max)
60V
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
690pF
Funktion
trr 65ns, effizientes DV/DT
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
60.4k Ohms
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
P36NF06
Kosten)
170pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
70W
RoHS
ja
Td(off)
27 ns
Td(on)
10 ns
Technologie
STripFET II POWER MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics