N-Kanal-Transistor STP3NB60, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.3 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 400pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S-Schutz: nein. IDss (min): 1uA. Id(imp): 13.2A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P3NB60. Kosten): 57pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Td(off): 11 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24