N-Kanal-Transistor STP4NK60Z, 2.5A, 4A, 4A, 1.76 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

N-Kanal-Transistor STP4NK60Z, 2.5A, 4A, 4A, 1.76 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
1.47fr
5-24
1.21fr
25-49
1.03fr
50+
0.93fr
Menge auf Lager: 22

N-Kanal-Transistor STP4NK60Z, 2.5A, 4A, 4A, 1.76 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 4A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.76 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. Id(imp): 16A. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Technologie: SuperMESH. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24

Technische Dokumentation (PDF)
STP4NK60Z
16 Parameter
ID (T=100°C)
2.5A
ID (T=25°C)
4A
IDSS (max)
4A
Einschaltwiderstand Rds On
1.76 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Spannung Vds(max)
600V
Funktion
Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor
Id(imp)
16A
Kanaltyp
N
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
70W
Technologie
SuperMESH
Transistortyp
MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics