N-Kanal-Transistor STP55NE06, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.019 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 3050pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 220A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P55NE06. Kosten): 380pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 130W. RoHS: ja. Td(on): 30 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor. Temperatur: +175°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24