N-Kanal-Transistor STP6NK90ZFP, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V

N-Kanal-Transistor STP6NK90ZFP, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V

Menge
Stückpreis
1-4
1.95fr
5-24
1.67fr
25-49
1.48fr
50-99
1.36fr
100+
1.21fr
Menge auf Lager: 41

N-Kanal-Transistor STP6NK90ZFP, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.56 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1350pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 23.2A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P6NK90ZFP. Kosten): 130pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 840 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:58

Technische Dokumentation (PDF)
STP6NK90ZFP
31 Parameter
ID (T=100°C)
3.65A
ID (T=25°C)
5.8A
IDSS (max)
50uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.56 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FP
Spannung Vds(max)
900V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1350pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
23.2A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
P6NK90ZFP
Kosten)
130pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
30W
RoHS
ja
Td(off)
45 ns
Td(on)
17 ns
Technologie
SuperMESH Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
840 ns
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics