N-Kanal-Transistor STP80NF70, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V

N-Kanal-Transistor STP80NF70, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V

Menge
Stückpreis
1-4
3.74fr
5-9
3.46fr
10-24
3.24fr
25-49
3.02fr
50+
2.70fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 66

N-Kanal-Transistor STP80NF70, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V. ID (T=100°C): 68A. ID (T=25°C): 98A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0098 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 68V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 2550pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 392A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 80NF70. Kosten): 550pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Td(off): 90 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:58

STP80NF70
31 Parameter
ID (T=100°C)
68A
ID (T=25°C)
98A
IDSS (max)
10uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.0098 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Spannung Vds(max)
68V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
2550pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
392A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
80NF70
Kosten)
550pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
190W
RoHS
ja
Td(off)
90 ns
Td(on)
17 ns
Technologie
STripFET II POWER MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
70 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics

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