N-Kanal-Transistor STP8NC70ZFP, 4.3A, 6.8A, 50uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 700V

N-Kanal-Transistor STP8NC70ZFP, 4.3A, 6.8A, 50uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 700V

Menge
Stückpreis
1-4
4.80fr
5-9
4.30fr
10-24
3.80fr
25+
3.55fr
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N-Kanal-Transistor STP8NC70ZFP, 4.3A, 6.8A, 50uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 700V. ID (T=100°C): 4.3A. ID (T=25°C): 6.8A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 700V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 2350pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Zener-Protected. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 27A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 180pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Td(on): 30 ns. Technologie: PowerMESH™III MOSFET. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 680 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:58

Technische Dokumentation (PDF)
STP8NC70ZFP
29 Parameter
ID (T=100°C)
4.3A
ID (T=25°C)
6.8A
IDSS (max)
50uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.9 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FP
Spannung Vds(max)
700V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
2350pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Zener-Protected
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
27A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
180pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
40W
Td(on)
30 ns
Technologie
PowerMESH™III MOSFET
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
680 ns
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics