N-Kanal-Transistor STP9NK90Z, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V

N-Kanal-Transistor STP9NK90Z, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V

Menge
Stückpreis
1-4
3.37fr
5-24
2.98fr
25-49
2.60fr
50+
2.47fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 24

N-Kanal-Transistor STP9NK90Z, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2115pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Schaltkreise. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 32A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P9NK90Z. Kosten): 190pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 950 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:58

Technische Dokumentation (PDF)
STP9NK90Z
31 Parameter
ID (T=100°C)
5A
ID (T=25°C)
8A
IDSS (max)
50uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.1 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
900V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2115pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Schaltkreise
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
32A
Kanaltyp
N
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
P9NK90Z
Kosten)
190pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
160W
RoHS
ja
Td(off)
55 ns
Td(on)
22 ns
Technologie
Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
950 ns
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics

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