N-Kanal-Transistor STW10NK80Z, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.78 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2180pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: mit Zenerdiode geschützt. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 36A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W10NK80Z. Kosten): 205pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 645 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:58