N-Kanal-Transistor STW10NK80Z-ZENER, TO-247, 800V

N-Kanal-Transistor STW10NK80Z-ZENER, TO-247, 800V

Menge
Stückpreis
1-4
4.91fr
5-14
4.05fr
15-29
3.63fr
30+
3.34fr
Menge auf Lager: 146

N-Kanal-Transistor STW10NK80Z-ZENER, TO-247, 800V. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 65 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2180pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 4.5A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Herstellerkennzeichnung: W10NK80Z. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:06

Technische Dokumentation (PDF)
STW10NK80Z-ZENER
16 Parameter
Gehäuse
TO-247
Drain-Source-Spannung Uds [V]
800V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
65 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
2180pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
9A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.09 Ohms @ 4.5A
Einschaltzeit ton [nsec.]
30 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
4.5V
Herstellerkennzeichnung
W10NK80Z
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
160W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics