N-Kanal-Transistor STW11NK90Z, 5.8A, 9.2A, 50uA, 0.82 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.82 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 3000pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: ZenerProtect. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 36.8A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W11NK90Z. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 240pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Td(off): 76 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMesh PpwerMOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 584 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:58