N-Kanal-Transistor STW14NK50Z, TO-247, 500V, 7.6A, 14A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, 500V. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 50mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 54 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2000pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2000pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 14A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.38 Ohms @ 6A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 24 ns. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S-Schutz: ja. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Herstellerkennzeichnung: W14NK50Z. IDss (min): 1mA. Id(imp): 48A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W14NK50Z. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 238pF. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. Td(off): 54 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 470 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:58