N-Kanal-Transistor STW18NM80, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 10.71A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 100nA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 800V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 1630pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Schaltkreise. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 10nA. Id(imp): 68A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 18NM80. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 750pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:58