N-Kanal-Transistor STW20NK50Z, TO-247, 500V, 12.6A, 20A, 50uA, 0.23 Ohms, TO-247, 500V. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. C(in): 2600pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2600pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 500V. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 17A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Eigenschaften des Halbleiters: ESD-geschützt. Einschaltzeit ton [nsec.]: 28 ns. G-S-Schutz: ja. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Gate-Source-Spannung: ±30V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Herstellerkennzeichnung: W20NK50Z. IDss (min): 1uA. Id(imp): 68A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W20NK50Z. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konditionierung: tubus. Konditionierungseinheit: 30. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 328pF. Leistung: 190W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 17A, 12.6A. Td(off): 70 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 355 ns. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:58